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SI4431BDY-T1-E3中文资料

SI4431BDY-T1-E3图片

SI4431BDY-T1-E3外观图

  • 大小:75.8KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, N, 8-SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:5.8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:5.8A; Package / Case:8-SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-30V; Voltage Vgs Max:-3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
  • 数据列表:SI4431BDY
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:30 毫欧 @ 7.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:1.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI4431BDY-T1-E3TR

SI4431BDY-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-30 03:40:24
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